[实用新型]半导体基材和半导体装置有效
| 申请号： | 200820139461.7 | 申请日： | 2008-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN201303005Y | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 李连湘 | 申请（专利权）人： | 富跃企业有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L23/373;H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孟 锐 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型有关于半导体基材和半导体装置，所述半导体基材包括至少三层叠合在一起的金属叠层，其中半导体基材的奇数层为第一金属，半导体基材的偶数层为不同于第一金属的第二金属，半导体基材的热膨胀系数与待形成其上的一成长层的热膨胀系数相匹配。本实用新型所提供的半导体基材及半导体装置可克服现有技术因热膨胀系数不同及散热系数过低所造成芯片损坏及亮度降低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 基材 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体基材，其特征在于：一至少三层叠合在一起的金属叠层，其中奇数层为一第一金属，偶数层为不同于所述第一金属的一第二金属，所述半导体基材的热膨胀系数与待形成其上的一成长层的热膨胀系数相匹配。
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