[实用新型]单晶电熔氧化铝晶粒控制装置无效
| 申请号： | 200820145769.2 | 申请日： | 2008-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN201265052Y | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 叶旦旺 | 申请（专利权）人： | 福建三祥工业新材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/20 | 分类号： | C30B29/20;C04B35/657 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 355500福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种单晶电熔氧化铝晶粒控制装置，包括用于盛装熔体氧化铝的模体，其特征在于：所述模体外围设置有一用于控制模体温度的温控层。本实用新型在模体外围设置温控层，可以有效控制模体内熔体氧化铝结晶的时间，从而可有效控制单晶电熔氧化铝晶粒的大小，以满足成品的不同需要。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶电熔 氧化铝 晶粒 控制 装置 | ||
【主权项】：
1、一种单晶电熔氧化铝晶粒控制装置，包括用于盛装氧化铝熔体的模体，其特征在于：所述模体外围设置有一用于控制模体温度的温控层。
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