[实用新型]一种高亮度发光二极管有效
| 申请号： | 200820146392.2 | 申请日： | 2008-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN201340857Y | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 黄尊祥;杨凯;李涛;彭绍文 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 | 代理人： | 李 宁 |
| 地址： | 361000福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种高亮度发光二极管，在导电基板上依序形成第二半导体层、活性层和第一半导体层，其特征在于：导电基板的另一面形成第二欧姆接触电极，第一半导体层上形成第一欧姆接触电极和肖特基接触焊线电极，且肖特基接触焊线电极与第一欧姆接触电极连接。此结构能显著改善芯片内部电流分布，使电流更多、更均匀地分布在出光区域内，使得亮度和器件寿命提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 亮度 发光二极管 | ||
【主权项】：
1、一种高亮度发光二极管，在导电基板上依序形成第二半导体层、活性层和第一半导体层，其特征在于：导电基板的另一面形成第二欧姆接触电极，第一半导体层上形成第一欧姆接触电极和肖特基接触焊线电极，且肖特基接触焊线电极与第一欧姆接触电极连接。
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