[实用新型]一种具有紫外响应的硅基成像器件无效
| 申请号： | 200820152099.7 | 申请日： | 2008-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN201247776Y | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 田鑫;张大伟;刘猛;倪争技;黄元申;庄松林 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L27/148;H01L31/09;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 上海东创专利代理事务所 | 代理人： | 宁芝华 |
| 地址： | 20009*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种具有紫外响应的硅基成像器件，其特征在于：在硅基成像器件光敏元基片的一面镀一层可将紫外辐射转换为可见光的Alq3材料的变频薄膜，与硅基成像器件光敏元基片致密结合。所述的变频薄膜，Alq3材料是经过预烘烤后的有机金属配价物Alq3粉末作为镀膜材料。所述的变频薄膜厚度：光学厚度125nm。本实用新型不但有效提高了硅基成像器件紫外响应的能力，而且克服了有机变频薄膜随时间衰减老化的问题。能够有效增强硅基成像器件对紫外光的敏感度，将探测区域拓展到紫外波段。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 紫外 响应 成像 器件 | ||
【主权项】：
1. 一种具有紫外响应的硅基成像器件，其特征在于：在硅基成像器件光敏元基片的一面镀一层可将紫外辐射转换为可见光的Alq3材料的变频薄膜，与硅基成像器件光敏元基片致密结合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
