[实用新型]一种具有异质结结构的背引出硅太阳电池

摘要

本实用新型涉及硅太阳电池，公开了一种具有异质结结构的背引出硅太阳电池，其功能层依次包括：N型扩散层[2]，PN结[3]，P型基片[4]，背面钝化层[5]，P型基片引出电极[6]，连通孔导体[7]和N型扩散层引出电极[8]；根据本实用新型：在N型扩散层[2]的外表面还淀积有一层N型的或本征的宽禁带硅薄膜层[1]，在N型扩散层[2]和N型的或本征的宽禁带硅薄膜层[1]之间形成不同禁带宽度硅之间的异质结结构。本实用新型解决了表面层传导电阻偏大、缺少一种在电池表面对少子扩散的反射机制的问题，取得了减小串联电阻、减小非平衡少子空穴在表面的复合、提高表面钝化质量等有益效果。

主权项

1、一种具有异质结结构的背引出硅太阳电池，以晶体硅为基片，其功能层依次包括：N型扩散层[2]，PN结[3]，P型基片[4]，背面钝化层[5]，P型基片引出电极[6]，连通孔导体[7]和N型扩散层引出电极[8]；其特征在于：在N型扩散层[2]的外表面还淀积有一层N型的或本征的宽禁带硅薄膜层[1]，在N型扩散层[2]和N型的或本征的宽禁带硅薄膜层[1]之间形成不同禁带宽度硅之间的异质结结构。