[实用新型]高抗静电肖特基二极管无效
| 申请号： | 200820160635.8 | 申请日： | 2008-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN201435391Y | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 何永成 | 申请（专利权）人： | 常州星海电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L23/60 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 213163江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种高抗静电肖特基二极管，其内部结构包括N-外延层、基片、用来消除边缘区域电场的二氧化硅和P型保护环；在金属势垒区内，在原先肖特基二极管上向N-外延层方向扩散多个P型点阵二极管，并与P型保护环所形成的保护二极管并联；本发明改进后的肖特基二极管，由静电产生的瞬间浪涌电流可以迅速从P型点二极管阵流出，大大提高了二极管的抗静电能力，延长了使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 抗静电 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
1、一种高抗静电肖特基二极管，其内部结构包括阳极金属层、金属势垒层、N-外延层、基片、阴极金属层和用来消除边缘区域电场的二氧化硅和P型保护环，其特征在于：在金属势垒区内，向N-外延层方向扩散形成至少二个P型硼扩散区，而所述P型硼扩散区与N-外延层形成PN结二极管，并与P型保护环所形成的保护二极管并联。
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