[实用新型]大功率LED封装结构无效
| 申请号： | 200820163123.7 | 申请日： | 2008-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN201242104Y | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 苏光耀;谭光明 | 申请（专利权）人： | 浙江名芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | F21V19/00 | 分类号： | F21V19/00;F21V29/00;H01L23/36;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 杭州裕阳专利事务所（普通合伙） | 代理人： | 应圣义 |
| 地址： | 324000*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种大功率LED封装结构，包括LED芯片、大功率LED的金属基座，其特征是：金属基座的底平面上具有一条以上的内凹通槽；每条内凹通槽的壁上设有无铅锡焊剂(锡银铜合金介质)层；LED芯片为锡银铜合金介质粘合而成。与现有技术相比，本实用新型将大功率LED金属基座的底面设计成具有多条内凹通槽的结构，使金属基座具有了接纳热管的功能。当连接散热器的热管汇至金属基座底部时，每根热管管壁都能紧贴在内凹通槽的壁上，并采用无铅锡焊剂层将其焊接成一体。本实用新型采用热管式快速散热结构后，利用气液变化过程中的吸放热原理，通过蒸发与冷凝传递热量，很好地解决了现有大功率LED基座与散热器之间的连接散热问题。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率 led 封装 结构 | ||
【主权项】：
1、一种大功率LED封装结构，包括LED芯片(4)、大功率LED的金属基座(1)，其特征是：金属基座(1)的底平面上具有一条以上的内凹通槽(10)。
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