[实用新型]一种可裁剪的双面纳米带电极阵列集成传感器无效
申请号: | 200820163262.X | 申请日: | 2008-08-22 |
公开(公告)号: | CN201289468Y | 公开(公告)日: | 2009-08-12 |
发明(设计)人: | 王平;李毅;付静;蔡巍 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | G01N27/00 | 分类号: | G01N27/00;G01N33/48;B81C1/00 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人: | 林怀禹 |
地址: | 310027浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种可裁剪双面纳米带电极阵列集成传感器。选用硅片或玻璃作基底,采用MEMS技术将两种不同的电极材料沉积在基底的正反两个平面上,以光刻技术形成上下面对称的梳状工作电极和参考电极阵列,采用PECVD方法在两侧分别沉积有氮化硅绝缘层,光刻露出焊盘,在两面绝缘层上刻制与电极方向垂直的多条切割线。传感器定期裁剪抛光,多次使用延长器件寿命,提高并保持电极的一致和稳定性。传感器固定在Teflon腔体内,采用差分脉冲阳极溶出伏安法,采集被测溶液的阻抗以及氧化还原电流信号。它可在江河湖海、生物医学、工业废水废气等领域中直接对溶液中的阴阳离子浓度进行定量检测,进行表面修饰后可对生物分子进行定性检测。 | ||
搜索关键词: | 一种 裁剪 双面 纳米 电极 阵列 集成 传感器 | ||
【主权项】:
1、一种可裁剪的双面纳米带电极阵列集成传感器,包括基底、电极、绝缘层和焊盘;其特征在于:选用硅片或玻璃作基底,采用MEMS技术将两种不同的电极材料沉积在基底的正反两个平面上,分别构成工作电极和参考电极,采用光刻技术形成上下面对称的梳状工作电极和参考电极阵列,采用PECVD方法在梳状工作电极和参考电极两侧分别沉积有氮化硅绝缘层,光刻露出焊盘,在两面绝缘层上刻制与电极方向垂直的多条切割线。
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