[实用新型]一种单晶硅生长炉无效
| 申请号： | 200820168764.1 | 申请日： | 2008-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN201292418Y | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 李国迪;谈志俊;蒋明霞 | 申请（专利权）人： | 浙江瑞迪硅谷新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00 |
| 代理公司： | 瑞安市翔东知识产权代理事务所 | 代理人： | 陈向东;薛 辉 |
| 地址： | 325200*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种单晶硅生长炉，包括主炉室、副炉室和引晶装置，主炉室和副炉室之间设有翻盖阀门，其特征在于：所述单晶硅生长炉还设有二次加料装置。该单晶硅生长炉可以在保持单晶炉处于高温状态时重复加料，完成多根单晶棒生产，既节省了与单晶炉配套的石英坩锅用量、又节约了能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 生长 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅生长炉，包括主炉室(7)、副炉室(9)和引晶装置，主炉室(7)和副炉室(9)之间设有翻盖阀门(8)，其特征在于：所述单晶硅生长炉还设有二次加料装置。
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