[实用新型]用于高温提取的先进FI叶片有效
申请号: | 200820177434.9 | 申请日: | 2008-10-31 |
公开(公告)号: | CN201352552Y | 公开(公告)日: | 2009-11-25 |
发明(设计)人: | 迪内士·卡纳瓦德;克雷格·R·梅茨纳;强德拉塞卡·巴拉苏布拉曼亚姆 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 提供了在基板被暴露到高温下的处理系统中传送基板的装置。还提供了用于传送基板的叶片。该叶片包括具有弓形横向凸缘的基部,自基部向外延伸且垂直于基部的第一指部,自基部向外延伸且与第一指部平行和与第一指部间隔开的第二指部,被构成为支撑基板且沿着弓形横向凸缘定位的第一支撑薄片,被构成为支撑基板且与第一指部耦连的第二支撑薄片,和被构成为支撑基板且与第二指部耦连的第三支撑薄片,其中弓形横向凸缘自第一指部外边缘向第二指部外边缘延伸。 | ||
搜索关键词: | 用于 高温 提取 先进 fi 叶片 | ||
【主权项】:
1.一种用于传送基板的叶片,其特征在于,包括:具有弓形横向凸缘的基部;自基部向外延伸且垂直于基部的第一指部;自基部向外延伸且与第一指部平行和与第一指部间隔开的第二指部;被构成为支撑基板且沿着弓形横向凸缘定位的第一支撑薄片;被构成为支撑基板且与第一指部耦连的第二支撑薄片;和被构成为支撑基板且与第二指部耦连的第三支撑薄片,其中弓形横向凸缘自第一指部的外边缘向第二指部的外边缘延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造