[实用新型]具有半导体制冷芯片的磁电灯无效
申请号: | 200820186495.1 | 申请日: | 2008-10-28 |
公开(公告)号: | CN201282129Y | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
发明(设计)人: | 殷建 | 申请(专利权)人: | 殷建 |
主分类号: | H01J65/04 | 分类号: | H01J65/04;F21V29/00 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 | 代理人: | 王凌霄 |
地址: | 213012江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种具有半导体制冷芯片的磁电灯,包括高频发生器、磁电灯灯泡、耦合器和磁电灯灯头,耦合器包括散热金属棒、感应线圈,在磁电灯灯头上设置有对磁电灯灯头进行冷却的半导体制冷芯片。在大功率磁电灯工作时,半导体制冷芯片进行吸热和散热的工作,使大功率磁电灯的温度维持在100度左右。 | ||
搜索关键词: | 具有 半导体 制冷 芯片 磁电 | ||
【主权项】:
1. 一种具有半导体制冷芯片的磁电灯,包括高频发生器(1)、磁电灯灯泡(2)、耦合器(3)和磁电灯灯头(4),耦合器(3)包括散热金属棒(3-1)、感应线圈(3-2),其特征在于:在磁电灯灯头(4)上设置有对磁电灯灯头(4)进行冷却的半导体制冷芯片(5)。
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