[实用新型]软体卷材式铜铟镓硒-非晶硅多结薄膜太阳能电池无效

专利信息
申请号: 200820207582.0 申请日: 2008-08-31
公开(公告)号: CN201294228Y 公开(公告)日: 2009-08-19
发明(设计)人: 郭洪涛;郭玉钦 申请(专利权)人: 郭洪涛
主分类号: H01L31/045 分类号: H01L31/045;H01L31/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 471003河南省洛阳市*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 实用新型一种卷材式铜铟镓硒-非晶硅多结薄膜太阳能电池,其特征在于:它是依次在不易氧化的金属箔软体或软体塑胶薄膜的衬底上,溅射钼Mo或钛Te层作电极,然后再用多靶磁控溅射设备溅镀铜Cu、铟In、镓Ga层后,在硒H2Se气氛中硒化制备硒Se层,为完整的P型铜铟镓硒层。再溅镀n型铜铟镓硒层,组成p-n结。在其层面上再溅射氧化锌Zno透明导电膜,再镀非晶硅α-Si层P-n结,再镀导电膜并镀梳状金属电极,最后镀透明保护膜,共组成多结薄膜太阳电池组件。其优点为:制备设备一次性投资低、性能稳定、转化率高、成本低、原料丰富、产品轻、运输量小、不易破损,可大面积生产。
搜索关键词: 软体 卷材 式铜铟镓硒 非晶硅多结 薄膜 太阳能电池
【主权项】:
1、本实用新型一种卷材式铜铟镓硒---非晶硅多结薄膜太阳能电池,其特征在于:它是依次在不锈钢箔、铜箔和不易氧化的金属箔软体或特制的软体塑胶薄膜为衬底(1)上,溅射钼Mo或钛Te层作电极(2),然后再应用多靶磁控溅射设备溅镀铜Cu、铟In、镓Ga层后,在硒H2Se气氛中硒化制备硒Se层,为完整的P型铜铟镓硒CuInGaSe2层(3),相继在其表面上,再应用多靶磁控溅射设备溅镀n型铜铟镓硒CuInxGal-x Se2层(4),组成p-n结,在其层面上,采用溅射法溅射氧化锌Zno透明导电膜(5),再应用化学沉积法或辉光放电法镀非晶硅α-Si层P-n结(6),再镀导电膜(7),并镀梳状金属电极(8),最后镀透明保护膜(9),共组成多结薄膜太阳电池组件。
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