[实用新型]软体卷材式铜铟镓硒-非晶硅多结薄膜太阳能电池无效
申请号: | 200820207582.0 | 申请日: | 2008-08-31 |
公开(公告)号: | CN201294228Y | 公开(公告)日: | 2009-08-19 |
发明(设计)人: | 郭洪涛;郭玉钦 | 申请(专利权)人: | 郭洪涛 |
主分类号: | H01L31/045 | 分类号: | H01L31/045;H01L31/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 471003河南省洛阳市*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本实用新型一种卷材式铜铟镓硒-非晶硅多结薄膜太阳能电池,其特征在于:它是依次在不易氧化的金属箔软体或软体塑胶薄膜的衬底上,溅射钼Mo或钛Te层作电极,然后再用多靶磁控溅射设备溅镀铜Cu、铟In、镓Ga层后,在硒H2Se气氛中硒化制备硒Se层,为完整的P型铜铟镓硒层。再溅镀n型铜铟镓硒层,组成p-n结。在其层面上再溅射氧化锌Zno透明导电膜,再镀非晶硅α-Si层P-n结,再镀导电膜并镀梳状金属电极,最后镀透明保护膜,共组成多结薄膜太阳电池组件。其优点为:制备设备一次性投资低、性能稳定、转化率高、成本低、原料丰富、产品轻、运输量小、不易破损,可大面积生产。 | ||
搜索关键词: | 软体 卷材 式铜铟镓硒 非晶硅多结 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】:
1、本实用新型一种卷材式铜铟镓硒---非晶硅多结薄膜太阳能电池,其特征在于:它是依次在不锈钢箔、铜箔和不易氧化的金属箔软体或特制的软体塑胶薄膜为衬底(1)上,溅射钼Mo或钛Te层作电极(2),然后再应用多靶磁控溅射设备溅镀铜Cu、铟In、镓Ga层后,在硒H2Se气氛中硒化制备硒Se层,为完整的P型铜铟镓硒CuInGaSe2层(3),相继在其表面上,再应用多靶磁控溅射设备溅镀n型铜铟镓硒CuInxGal-x Se2层(4),组成p-n结,在其层面上,采用溅射法溅射氧化锌Zno透明导电膜(5),再应用化学沉积法或辉光放电法镀非晶硅α-Si层P-n结(6),再镀导电膜(7),并镀梳状金属电极(8),最后镀透明保护膜(9),共组成多结薄膜太阳电池组件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的