[实用新型]用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构无效

专利信息
申请号: 200820209961.3 申请日: 2008-10-17
公开(公告)号: CN201285001Y 公开(公告)日: 2009-08-05
发明(设计)人: 汪秉龙;萧松益;陈政吉 申请(专利权)人: 宏齐科技股份有限公司
主分类号: F21V19/00 分类号: F21V19/00;F21V23/00;F21V29/00;H01L23/36;H01L33/00;F21Y101/02
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 陈 晨;张浴月
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构,该封装结构包括:发光单元、第一导电单元、第二导电单元及绝缘单元。发光单元具有一发光本体、两个分别成形于发光本体上的正、负极导电层、及一成形于正、负极导电层之间的第一绝缘层。第一导电单元具有一成形于正极导电层上的第一正极导电层及一成形于负极导电层上的第一负极导电层。第二导电单元具有一成形于第一正极导电层上的第二正极导电结构及一成形于第一负极导电层上的第二负极导电结构。绝缘单元具有一成形在第一绝缘层上并且位于第二正、负极导电结构之间的第二绝缘层。本实用新型能够提供较大的导电面积及散热面积。
搜索关键词: 用于 增加 导电 散热 面积 晶片 发光二极管 封装 结构
【主权项】:
1、一种用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构,其特征在于,包括:一发光单元,其具有一正极导电层、一负极导电层、及一成形于该正极导电层及该负极导电层之间的第一绝缘层;一第一导电单元,其具有一成形于该正极导电层上的第一正极导电层及一成形于该负极导电层上的第一负极导电层;一第二导电单元,其具有一成形于该第一正极导电层上的第二正极导电结构及一成形于该第一负极导电层上的第二负极导电结构;以及一绝缘单元,其具有一成形于该第一绝缘层上并且位于该第二正极导电结构及该第二负极导电结构之间的第二绝缘层。
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