[实用新型]压力传感器无效
| 申请号： | 200820221223.0 | 申请日： | 2008-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN201297972Y | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 关荣峰;田大垒;赵文卿;王杏 | 申请（专利权）人： | 河南理工大学 |
| 主分类号： | G01L9/02 | 分类号： | G01L9/02;B81B7/02 |
| 代理公司： | 郑州中原专利事务所有限公司 | 代理人： | 张 春 |
| 地址： | 454000河南省*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种压力传感器，包括MEMS压力传感芯片，所述的MEMS压力传感芯片由四个多晶硅电阻设置在单晶硅薄膜的[110]晶向上构成的惠斯通电桥，单晶硅薄膜是由下硅圆片、上硅圆片和纯化层构成，下硅圆片上设置一腔体，下硅圆片和上硅圆片通过热熔硅-硅键合在一起，在上硅圆片表面设钝化层，在上硅圆片上用扩散工艺设置多晶硅电阻，在上硅圆片上刻蚀出金属薄膜导线和压焊块，本实用新型采用了硅-硅键合结构的压力传感器尺寸可以做的很小，每个硅圆片上的芯片数目可以提高50％或者更高，传感器成本大幅度下降，性能更加稳定可靠。这种传感器属低成本高性能压力传感器，应用非常广泛。传感器量程通常为：0.1-6MPa左右，最高工作温度为+125℃。 | ||
| 搜索关键词： | 压力传感器 | ||
【主权项】：
1、一种压力传感器，包括MEMS压力传感芯片，其特征在于：所述的MEMS压力传感芯片由四个多晶硅电阻(18)设置在单晶硅薄膜(19)的[110]晶向上构成的惠斯通电桥，单晶硅薄膜(19)是由下硅圆片(20)、上硅圆片(21)和纯化层(22)构成，下硅圆片(20)上设置一腔体(23)，下硅圆片(20)和上硅圆片(21)通过热熔硅-硅键合在一起，在上硅圆片(21)表面设钝化层(22)，在上硅圆片(21)上用扩散工艺设置多晶硅电阻(18)，在上硅圆片(21)上刻蚀出金属薄膜导线(24)和压焊块(25)。
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