[实用新型]差分接口电路无效

专利信息
申请号: 200820300785.4 申请日: 2008-05-19
公开(公告)号: CN201207270Y 公开(公告)日: 2009-03-11
发明(设计)人: 孙伟锋;梁涛;时龙兴;李海松;吴虹;邓江 申请(专利权)人: 四川长虹电器股份有限公司
主分类号: G09G3/28 分类号: G09G3/28;H03K19/0185
代理公司: 成都虹桥专利事务所 代理人: 李顺德
地址: 621000四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型涉及等离子平板显示技术领域,尤其涉及用于等离子平板显示器的驱动芯片中的差分接口电路。本实用新型提供了采用双比例镜像电流源做负载管的差分接口电路,有利于减小芯片版图面积。本实用新型的主要技术方案是:PMOS管M1和PMOS管M2构成一对差分对管;MOS管M3与MOS管M5、MOS管M4与MOS管M6以及MOS管M7与MOS管M8构成双比例镜像电流源,做MOS管M1和MOS管M2的负载管。本实用新型采用了双比例镜像电流源做负载管对差分对管的差模增益进行放大,相对于现有技术中的差分接口电路有利于减小芯片版图面积,适用于等离子平板显示器的驱动芯片。
搜索关键词: 接口 电路
【主权项】:
【权利要求1】差分接口电路,其特征在于:包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8及MOS管M9;差分信号输入端口InN和InP分别连接MOS管M1和MOS管M2的栅极;MOS管M1、MOS管M2的漏极和MOS管M9的源极连接;MOS管M1的源极、MOS管M3的漏极、MOS管M5的栅极及MOS管M3的栅极连接;MOS管M2的源极、MOS管M4的漏极、MOS管M6的栅极及MOS管M4的栅极连接;MOS管M8的源极和MOS管M6的漏极连接;MOS管M7的栅极、MOS管M8的栅极、MOS管M7的源极及MOS管M5的漏极连接;MOS管M7的漏极、MOS管M8的漏极及MOS管M9的漏极均接电源;MOS管M9的栅极接偏置电压控制端;MOS管M3的源极、MOS管M4的源极、MOS管M5的源极及MOS管M6的源极均接地。
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