[发明专利]基于硅通孔的三维晶圆叠层的键合方法有效
| 申请号： | 200880000036.2 | 申请日： | 2008-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101542701A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 马薇;史训清;仲镇华 | 申请（专利权）人： | 香港应用科技研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60;H01L25/00;H01L23/52 |
| 代理公司： | 深圳创友专利商标代理有限公司 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国香港新界沙田香港科*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述了一个基于硅通孔的晶圆叠层的混合键合方法。具有图案的粘胶层将叠层内相邻晶圆连接在一起，同时硅通孔之间的焊接键合被用作晶圆叠层间的电信号互连。粘胶层上设计的图案用以排放焊接过程中产生的气体并消除应力。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 硅通孔 三维 晶圆叠层 方法 | ||
【主权项】：
1.一个形成晶圆叠层的方法，步骤包括：将多个晶圆叠放，每个所述晶圆具有至少一个硅通孔，焊料填充在硅通孔中并延伸至相邻晶圆的硅通孔处，晶圆首先被相邻晶圆之间的粘胶层键合在一起，并使所述叠层仅经历一次焊接过程，使所述硅通孔通过所述焊料达成电互连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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