[发明专利]氧化方法和氧化装置无效
| 申请号： | 200880000094.5 | 申请日： | 2008-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN101542694A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 永峰佳纪;渡边直树 | 申请（专利权）人： | 佳能安内华股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 康建忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氧化方法和氧化装置，其中，通过具有若干通孔的隔离物连接具有氧化气体供给端口的等离子体产生室和具有排放端口并在内部具有衬底基座的衬底处理室，产生供给到等离子体产生室中的氧化气体的等离子体，并且通过将产生的活性物种供给到衬底上而在衬底表面上形成氧化物层，它们的特征在于，隔离物通过开关机构与电源连接，使得正电压、负电压或零电压被施加到隔离物，并且，通过在氧化过程期间切换电压至少一次而改变供给到衬底上的活性物种中的基团、正离子和负离子的比率，从而执行氧化过程。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种通过将氧化气体等离子体中的基团、正离子或负离子的活性物种供给到衬底上而在衬底表面上形成氧化物层的氧化方法，所述方法包括以下步骤：通过以预定的比率设置供给到所述衬底上的所述活性物种中的所述基团、正离子和负离子而执行氧化过程，并通过改变所述比率而进一步执行氧化过程。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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