[发明专利]碳化硅半导体元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200880000863.1 | 申请日： | 2008-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN101548387A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 工藤千秋;宇都宫和哉;林将志 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种碳化硅半导体元件及其制造方法，形成在碳化硅基板(11)上的栅电极(18)具有：硅下层(18A)以及由设置在硅下层(18A)上的第一金属与硅的化合物构成的硅化物上层(18B)。源电极(1as)含有与第一金属硅化物不同的第二金属硅化物，所述源电极(1as)与形成在碳化硅基板(11)表面上的n型源极区域及p+区域接触。硅下层(18A)的侧面由绝缘物覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种碳化硅半导体元件的制造方法，其包含：准备在表面形成有碳化硅外延层的碳化硅基板的工序；在所述碳化硅外延层上形成源极区域的工序；在所述碳化硅外延层上形成栅极绝缘膜的工序；在所述栅极绝缘膜上形成硅栅电极的工序；用绝缘物覆盖所述硅栅电极的侧面的工序；堆积与所述硅栅电极的上表面接触的第一金属的工序；通过使所述硅栅电极的一部分与所述第一金属反应，形成具有由第一金属硅化物构成的上层及由硅构成的下层的栅电极的工序；将所述第一金属中未与所述硅栅电极反应的未反应部分除去的工序；形成在所述源极区域上具有开口部的层间绝缘膜的工序；将经所述开口部与所述源极区域的一部分接触的第二金属堆积在所述层间绝缘膜上的工序；以及通过使所述源极区域的一部分与所述第二金属反应，在所述源极区域上形成由第二金属硅化物构成的层的工序。
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