[发明专利]非易失性存储装置有效
| 申请号： | 200880000864.6 | 申请日： | 2008-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN101548335A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 河合贤;岛川一彦 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供非易失性存储装置，其包括：包含多个具有电阻值由于施加电脉冲而变化的特性的非易失性存储元件的多个存储器单元阵列(136、146)；和用于在相对于上述多个存储器单元阵列写入数据时，相对于某存储器单元阵列进行写入，与此同时，相对于其它存储器单元阵列进行读出的控制部(102、104、108、110、114、128、130、152)。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种非易失性存储装置，其特征在于，包括：包含多个具有电阻值由于施加电脉冲而变化的特性的非易失性存储元件的多个存储器单元阵列；和控制部，其用于在相对于所述多个存储器单元阵列写入数据时，相对于某存储器单元阵列进行写入，与此同时，相对于其它存储器单元阵列进行读出，其中所述控制部包括：用于暂时保存从外部输入的地址数据的地址锁存；用于暂时保存从与外部输入的地址数据对应的非易失性存储元件读出的读出数据的读出数据锁存；用于暂时保存从外部输入的写入数据的写入数据锁存；用于对保存在所述写入数据锁存中的写入数据和保存在所述读出数据锁存中的读出数据进行比较的比较判定部；用于根据所述比较判定部输出的判定结果向所述存储器单元阵列输入电脉冲的写入部；用于使所述写入部与规定的存储器单元阵列连接的写入切换开关；用于使所述读出数据锁存与规定的存储器单元阵列连接的读出切换开关；和交叉写入控制电路，其用于控制所述写入切换开关和所述读出切换开关，使所述读出数据锁存和所述写入部的各个在规定的定时与规定的存储器单元阵列连接。
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