[发明专利]半导体装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200880001142.2 申请日: 2008-09-19
公开(公告)号: CN101569008A 公开(公告)日: 2009-10-28
发明(设计)人: 山崎隆雄 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: H01L23/12 分类号: H01L23/12;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/10;H01L25/11;H01L25/18
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 孙志湧;李 亚
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种低成本的半导体装置,能够层叠保证了品质(检查过)且市场上出售的芯片尺寸封装,所述半导体装置的共面性值小,具有优良的安装可靠性。半导体装置及其制造方法的特征在于,可挠性电路基板与半导体封装的侧面的至少一部分粘结,并且位于半导体封装的焊接球搭载面一侧的可挠性电路基板在半导体封装的外端部的内侧区域且半导体封装上所搭载的最外部的焊接球的外侧区域折弯。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置,其中,具备焊接球作为外部端子的半导体封装通过该焊接球与在基板的双面上具有外部端子的一个可挠性电路基板的单面侧的该外部端子连接,该可挠性电路基板以包围该半导体封装的方式折弯而与该半导体封装的该外部端子面的表背相反面一侧粘结,所述半导体装置的特征在于,该可挠性电路基板与该半导体封装的侧面的至少一部分粘结,并且位于该半导体封装的焊接球搭载面一侧的该可挠性电路基板,在该半导体封装的外端部的内侧区域、且该半导体封装上所搭载的最外部的焊接球的外侧区域折弯。
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