[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200880001145.6 | 申请日： | 2008-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN101569015A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 工藤千秋;楠本修;桥本浩一 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明中的半导体装置(100)具备：由碳化硅构成的第一导电型的半导体衬底(10)；在半导体衬底(10)的主面(10a)上形成的第一导电型的碳化硅外延层(20)；在碳化硅外延层(20)的一部分形成的第二导电型的阱区域(22)；以及在阱区域(22)的一部分形成的第一导电型的源区域(24)。在碳化硅外延层(20)、阱区域(22)和源区域(24)上形成有由碳化硅构成的沟道外延层(30)，在沟道外延层(30)中位于阱区域(22)上的部位作为沟道区域(40)而作用，向沟道外延层(30)中除去沟道区域(40)以外的部位(33、35)注入第一导电型的掺杂剂。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其具备：第一导电型的半导体衬底，其由碳化硅形成，并具有主面及所述主面的相反面即背面；第一导电型的碳化硅外延层，其形成于所述半导体衬底的主面上，具有比所述半导体衬底低的掺杂剂浓度；第二导电型的阱区域，其形成于所述碳化硅外延层的一部分；第一导电型的源区域，其形成于所述阱区域的一部分；以及第一导电型的沟道外延层，其由碳化硅形成，形成于所述碳化硅外延层上；所述沟道外延层包括：位于所述源区域上的第一部分；位于在所述碳化硅外延层中没有形成所述阱区域的区域上的第二部分；以及位于所述阱区域上、且被夹在所述第一部分与所述第二部分之间的沟道区域；所述第一部分及所述第二部分的掺杂剂浓度比所述源区域的掺杂剂浓度低，且比所述沟道区域的掺杂剂浓度高。
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