[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

一种具有多层布线的半导体装置，该多层布线具有在绝缘膜中的预定区域形成的铜布线膜、衬层膜和高熔点金属膜。铜布线膜是多晶，构成多晶的晶粒中占据单位布线表面的40％以上面积的晶粒在基板厚度方向上向(111)方位取向，并具有与贵金属衬层膜的结晶匹配性。在高熔点金属膜是Ti，贵金属衬层膜是钌膜时，高熔点金属的钛固溶在钌中成为贵金属衬层，形成兼具抗铜扩散性和铜结晶匹配性的铜布线。

主权项

1.一种具有多层布线的半导体装置，该多层布线具有：在半导体基板的上方形成的绝缘膜；在该绝缘膜中的预定区域形成且以铜为主要成分的布线膜；和与该布线膜接触的衬层膜，所述布线膜构成多层布线的至少一层，所述半导体装置的特征在于，所述以铜为主要成分的布线膜是含有在基板厚度方向上向(111)方位取向的晶粒的多晶膜，并且所述衬层膜由在常温常压下具有抗氧化性的贵金属膜构成，且以使最密堆积排列面成为表面的方式取向。