[发明专利]具有双外延沟道和自对准接点的CMOS器件有效
| 申请号： | 200880001497.1 | 申请日： | 2008-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN101606240A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | P·拉纳德;K·E·扎瓦奇基 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/335;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 朱海煜;王丹昕 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种具有双外延沟道的CMOS器件，其包括形成在衬底上的第一外延区域，形成在该第一外延区域上的PMOS器件，形成在衬底上的第二外延区域，其中该第二外延区域由不同于该第一外延区域的材料形成，形成在该第二外延区域上的NMOS器件，以及耦合于PMOS器件和NMOS器件的电接点，其中该电接点是自对准的。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 外延 沟道 对准 接点 cmos 器件 | ||
【主权项】：
1、一种CMOS器件，包括：第一外延区域；形成在所述第一外延区域上的PMOS器件；第二外延区域，其中所述第二外延区域由不同于所述第一外延区域的材料形成；形成在所述第二外延区域上的NMOS器件；以及耦合于所述PMOS器件和NMOS器件的电接点，其中所述电接点是自对准的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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