[发明专利]形成晶体管的接触和通孔开口的方法无效
| 申请号： | 200880001501.4 | 申请日： | 2008-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN101617389A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | N·拉豪尔-欧拉比 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 毛 力;谢喜堂 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成对晶体管的接触的方法包括在具有晶体管的衬底上沉积介电层，在介电层中蚀刻接触晶体管的栅极叠层的第一开口，在第一开口中沉积牺牲材料，以及在介电层中蚀刻接触晶体管的源和漏区的第二和第三开口，其中在蚀刻第一开口后蚀刻第二和第三开口。通过首先蚀刻到栅极叠层的开口，诸如接触-栅极短路的缺陷减少或消失。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 晶体管 接触 开口 方法 | ||
【主权项】：
1、一种方法包括：在具有晶体管的衬底上沉积介电层；在所述介电层中蚀刻接触所述晶体管的栅极叠层的第一开口；在所述第一开口中沉积牺牲材料；以及以及在所述介电层中蚀刻接触所述晶体管的源和漏区的第二和第三开口，其中在蚀刻所述第一开口后蚀刻所述第二和第三开口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880001501.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种红瓷的生产工艺
- 下一篇：一种氧化铝陶瓷片处理工艺
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
