[发明专利]单结太阳能电池装置所采用的薄膜式金属氧化物半导体材料

摘要

一种单结太阳能电池结构，所述结构包括具有表面区域的基板构件；所述基板构件表面区域上覆盖的第一电极结构；第一电极结构上形成的P型吸收层。在具体的实施例中，所述P型吸收层具有P型杂质特征和第一光吸收系数，所述第一光吸收系数在400nm到800nm的波长范围内大于104cm-1。P型层及P型层与N+层的附近区域内形成的界面区之上，设置了一个N+层。所述结构还包括N+层上覆盖的高阻缓冲层；以及缓冲层上覆盖的第二电极结构。

主权项

1.一种单结太阳能电池结构，所述结构包括：具有一表面区域的基板构件；所述基板构件表面区域上覆盖的第一导电层；覆盖在所述导电层上的一个P型吸收层，所述P型吸收层具有P型杂质特征和在400nm到800nm的波长范围内大于104cm-1的第一光吸收系数；覆盖在所述P型吸收层上的一个N+层；所述P型吸收层的第一表面区与所述N+层的第二表面区的附近区域内，所形成的一个界面区。覆盖在所述N+层上的一个高阻缓冲层；以及覆盖在所述缓冲层上的第二导电层。