[发明专利]氮化物纳米线及其制造方法有效
| 申请号： | 200880002009.9 | 申请日： | 2008-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN101681813A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | W·塞弗特;D·阿索利;毕朝霞 | 申请（专利权）人： | 昆南诺股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L29/06;B82B1/00;B82B3/00;C30B25/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;王忠忠 |
| 地址： | 瑞典*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
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| 摘要： | 本发明涉及氮化物半导体的生长，适用于多种半导体器件，例如二极管、LED和晶体管。根据本发明的方法，利用基于CVD的选择性区域生长技术生长氮化物半导体纳米线。在纳米线生长步骤中存在氮源和金属-有机源，并且在纳米线生长步骤中至少该氮源流速是持续的。本发明方法利用的该V/III-比率明显低于与通常氮化物基半导体生长相关的V/III-比率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 纳米 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种利用基于CVD的选择区域生长技术来生长氮化物基半导体纳米线的方法，其中在纳米线生长步骤中存在氮源和金属-有机源，该方法特征在于在纳米线生长步骤中，该氮源流速是持续的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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