[发明专利]减少刻蚀过程中的线路末端缩短有效
| 申请号： | 200880002066.7 | 申请日： | 2008-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN101584027A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 山口叶子;高尔·科塔;弗兰克·Y·琳;钟青华 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种在刻蚀层中刻蚀特征的方法。在该刻蚀层上提供图案化的光阻掩膜，该光阻掩膜具有至少一个光阻线路，该光阻线路具有一对终止于线路末端的侧壁。在该至少一个光阻线路上放置聚合物层，其中在该光阻线路的该线路末端的该聚合物层的厚度大于在该光阻线路的该侧壁上的该聚合物层的厚度。将特征透过该光阻掩膜刻蚀入该刻蚀层，其中线路末端缩短(LES)比率小于或等于1。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 刻蚀 过程 中的 线路 末端 缩短 | ||
【主权项】：
1.一种在刻蚀层中刻蚀特征的方法，包含：在该刻蚀层上方提供图案化的光阻掩膜，该光阻掩膜具有至少一个光阻线路，该光阻线路具有一对终止于线路末端的侧壁；在该至少一个光阻线路上方放置聚合物层，其中在该光阻线路的该线路末端的该聚合物层的厚度大于在该光阻线路的该侧壁上的该聚合物层的厚度；以及将特征透过该光阻掩膜刻蚀入该刻蚀层，其中线路末端缩短(LES)比率小于或等于1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司，未经朗姆研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880002066.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电池组件
- 下一篇：具有双抽吸模式的离子植入装置及其方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
