[发明专利]荧光体及其制备方法以及使用该荧光体的发光二极管有效
| 申请号： | 200880002076.0 | 申请日： | 2008-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN101583689A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 安重仁 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/71 | 分类号： | C09K11/71 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;吴亦华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种荧光体及其制备方法以及使用该荧光体的发光二极管。所述方法包括以下步骤：通过将硝酸锶(Sr(NO3)2)、原硅酸四乙酯(TEOS)和氧化铕(Eu)相互混合来制备前体溶液；通过加热前体溶液来形成凝胶；干燥凝胶样品；实施焙烧以从干凝胶中除去水和有机材料；和通过还原凝胶中的Eu来制备荧光体。 | ||
| 搜索关键词： | 荧光 及其 制备 方法 以及 使用 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种制备荧光体的方法，包括以下步骤：通过将硝酸锶(Sr(NO3)2)、原硅酸四乙酯(TEOS)和氧化铕(Eu)相互混合来制备前体溶液；通过加热所述前体溶液来形成凝胶；干燥所述凝胶样品；实施焙烧以从干凝胶中除去水和有机材料；和通过还原所述凝胶中的Eu来制备荧光体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司，未经LG伊诺特有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880002076.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：三相单相多功能智能电源保护器
- 下一篇：电脑外设装置线材的扣具
