[发明专利]发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200880002109.1 | 申请日： | 2008-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN101584054A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 朴炯兆 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;吴亦华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光器件。所述发光器件包括：第一导电半导体层；在第一导电半导体层上的有源层；在有源层上的第二导电半导体层，第二导电半导体层包括第一区域和第二区域；在第二导电半导体层的第二区域上的第三导电半导体层；电连接第一导电半导体层与第二区域的第二导电半导体层的第一电极层；和电连接第二导电半导体层与第三导电半导体层的第二电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光器件，包括：第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层上的有源层；在所述有源层上的第二导电半导体层，所述第二导电半导体层包括第一区域和第二区域；在所述第二导电半导体层的第二区域上的第三导电半导体层；电连接所述第一导电半导体层与所述第二区域的第二导电半导体层的第一电极层；和电连接所述第二导电半导体层与所述第三导电半导体层的第二电极层。
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