[发明专利]改进的多电平存储器有效
| 申请号： | 200880002210.7 | 申请日： | 2008-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN101632129A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 潘塔斯·苏塔迪嘉 | 申请（专利权）人： | 马维尔国际贸易有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/04;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 宋 鹤;南 霆 |
| 地址： | 巴巴多斯*** | 国省代码： | 巴巴多斯;BB |
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| 摘要： | 一种储存系统包括电荷储存单元和控制器。电荷储存单元包括第一和第二电荷储存区域，该第一和第二电荷储存区域中的每一个能够采取多个电荷电平。控制器将第一电荷储存区域编程到多个电荷电平之一，然后将第二电荷储存区域编程到多个电荷电平之一。控制器基于对第一电荷储存区域的第一测量结果和对第二电荷储存区域的第二测量结果来读取第一电荷储存区域中储存的电荷电平。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 电平 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种储存系统，包括：电荷储存单元，其具有第一和第二电荷储存区域，该第一和第二电荷储存区域中的每一个能够采取多个电荷电平；以及控制器，其将所述第一电荷储存区域编程到所述多个电荷电平之一，然后将所述第二电荷储存区域编程到所述多个电荷电平之一，并且基于对所述第一电荷储存区域的第一测量结果和对所述第二电荷储存区域的第二测量结果来读取所述第一电荷储存区域中储存的电荷电平。
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