[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200880002383.9 | 申请日： | 2008-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN101601138A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木雄一朗;冈下胜己;中本圭一;伊藤裕之;水野文二 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。在支撑衬底(11)上形成有具有上面及侧面的鳍式半导体区域(13a-13d)。在各个鳍式半导体区域(13a-13d)的上部形成有第一杂质区域(17a)，在各个鳍式半导体区域(13a-13d)的侧部形成有第二杂质区域(17b)。第二杂质区域(17b)的比电阻小于或等于第一杂质区域(17a)的比电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：形成在支撑衬底上且具有上面及侧面的第一半导体区域、形成在所述第一半导体区域上部的第一导电型第一杂质区域以及形成在所述第一半导体区域侧部的第一导电型第二杂质区域，所述第二杂质区域的比电阻小于或等于所述第一杂质区域的比电阻。
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