[发明专利]包括电迁移防护膜的半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 200880002910.6 | 申请日: | 2008-01-24 |
公开(公告)号: | CN101589467A | 公开(公告)日: | 2009-11-25 |
发明(设计)人: | 河野一郎;若林猛;三原一郎 | 申请(专利权)人: | 卡西欧计算机株式会社 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 王琼先;王永建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种半导体装置包括半导体衬底、设置在半导体衬底的一侧上并具有连接焊盘部分的多个布线、以及分别设置在布线的连接焊盘部分上的多个柱状电极,每个柱状电极都包括外周表面和顶表面。电迁移防护膜设置在至少布线的表面上。密封膜绕柱状电极的外周表面设置。 | ||
搜索关键词: | 包括 迁移 防护 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:半导体衬底;设置在半导体衬底的一侧上并具有连接焊盘部分的多个布线;分别设置在布线的连接焊盘部分上的多个柱状电极,每个柱状电极都包括外周表面和顶表面;设置在至少布线的表面上的电迁移防护膜;以及绕柱状电极的外周表面设置的密封膜。
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