[发明专利]可配置的斜面刻蚀机

摘要

一种用于清洁半导体基板的斜面边缘的装置。该装置包括：具有圆柱形顶部的下支架；围绕该顶部并适于支撑该基板的下等离子体隔断区域(PEZ)环；面向该下支架并具有圆柱形底部的上电介质元件；围绕该底部的外缘并面向该下PEZ环的上PEZ环；以及至少一个射频(RF)电源，可运作以将由该上和下PEZ环限定的环形空间中的气体激励为等离子体，其中该环形空间包围该斜面边缘。

主权项

1.一种斜面刻蚀机，在该斜面刻蚀机中对半导体基板的斜面边缘进行等离子体清洁，包含：具有圆柱形顶部的下支架；下等离子体隔断区域(PEZ)环，支撑于该下支架的该顶部上，该下PEZ环具有支撑该基板的上表面，以便该基板的该斜面边缘延伸出该上表面的外缘；上电介质元件，配置于该下支架上方并具有面向该下支架的该顶部的圆柱形底部；围绕该电介质元件的底部并面向该下PEZ环的上PEZ环，该下和上PEZ环之间的环形空间限制要用该等离子体清洁的斜面边缘的范围；以及至少一个射频(RF)电源，适于在清洁操作过程中将工艺气体激励为该等离子体；其中该下和上PEZ环适于在该清洁操作过程中分别保护该下支架和该上电介质元件免受该等离子体损害。