[发明专利]嵌段共聚物及高分子发光元件无效
申请号: | 200880003523.4 | 申请日: | 2008-02-01 |
公开(公告)号: | CN101595155A | 公开(公告)日: | 2009-12-02 |
发明(设计)人: | 中谷智也;柿本秀信 | 申请(专利权)人: | 住友化学株式会社 |
主分类号: | C08G61/12 | 分类号: | C08G61/12;C08L65/00;C09K11/06;H01L51/50 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 朱 丹 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供嵌段共聚物、组合物、发光性薄膜和高分子发光元件,所述嵌段共聚物的特征在于,包含嵌段(A)和嵌段(B),所述嵌段(A)含有:包含含5元环的2价杂环基的重复单元及包含亚芳基的重复单元,所述嵌段(B)含有:包含亚芳基的重复单元及包含特定的2价芳香族胺残基的不同的2种重复单元。所述组合物含有所述嵌段共聚物;和溶剂、所述嵌段共聚物以外的发光材料、所述嵌段共聚物以外的空穴输送材料或者所述嵌段共聚物以外的电子输送材料,或它们的2种以上的组合。所述发光性薄膜的特征在于,含有所述嵌段共聚物。所述高分子发光元件的特征在于,具有阳极、和阴极和含有所述嵌段共聚物且设置在该阳极和该阴极之间的有机层。 | ||
搜索关键词: | 共聚物 高分子 发光 元件 | ||
【主权项】:
1、一种嵌段共聚物,其特征在于,包含下述嵌段(A)和下述嵌段(B),所述嵌段(A)含有下述式(I)所示的重复单元及下述式(II)所示的重复单元,所述嵌段(B)含有下述式(II)所示的重复单元、下述式(III)所示的重复单元及下述式(IV)所示的重复单元,-Ar1- (I)式(I)中,Ar1表示含有5元环的2价杂环基,-Ar2- (II)式(II)中,Ar2表示亚芳基,
式(III)中,R1、R2、R3、R4、R5及R6独立地表示卤原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基,a及b独立地表示0~4的整数,c及d独立地表示0~5的整数,e及f独立地表示0~3的整数,其中,R1、R2、R3、R4、R5及R6中的至少一种存在多个时,该存在的多个原子或基团可以相同或不同,R7和R8独立地表示氢原子、卤原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基,
式(IV)中,R9~R34独立地表示氢原子、卤原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基,m及p独立地表示0或1,其中,R11与R13、R12与R21、R25与R34以及R30与R31的组合中的至少一个组合可不表示上述原子或基团,而合为一体形成单键或由式:-O-或式:-S-表示的2价基团。
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