[发明专利]脉冲超高纵横比电介质蚀刻有效
| 申请号： | 200880004180.3 | 申请日： | 2008-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN101606232A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 池贞浩;埃里克·A·埃德尔伯格 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种在蚀刻室中穿过碳基掩模选择性蚀刻超高纵横比特征介电层的方法。提供蚀刻气体流(包括含氟碳化合物分子和含氧分子)至该蚀刻室。提供脉冲偏置RF信号。提供激励RF信号以将该蚀刻气体转换为等离子。 | ||
| 搜索关键词： | 脉冲 超高 纵横 电介质 蚀刻 | ||
【主权项】：
1.一种在蚀刻室中穿过碳基掩模选择性蚀刻超高纵横比特征介电层的方法，包括：相对该碳基掩模选择性蚀刻该介电层，其中该选择性蚀刻在该碳基掩模上提供氟碳基聚合物净沉积；停止该选择性蚀刻；以及后续的相对该碳基掩模选择性蚀刻该介电层，包括：提供蚀刻气体流至该蚀刻室，该蚀刻气体包括含氟碳化合物分子和含氧分子；提供脉冲偏置RF信号；以及提供激励RF信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司，未经朗姆研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880004180.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：盾构同步注浆施工工艺
- 下一篇：SCART接口控制电路及使用其的电子设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
