[发明专利]用于氮化物集成应用的硅上锆和铪硼化物合金模板无效
| 申请号： | 200880004276.X | 申请日： | 2008-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN101702900A | 公开（公告）日： | 2010-05-05 |
| 发明（设计）人： | J·库维塔奇斯;R·鲁卡 | 申请（专利权）人： | 代表亚利桑那州立大学行事的亚利桑那董事会 |
| 主分类号： | C01B35/04 | 分类号： | C01B35/04;C22C16/00;C22C27/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了在小于约800℃下制备外延AlGaN层的方法。通常，在合适的温度和压力下于Al源存在下使衬底与H2GaN3、D2GaN3或其混合物接触，从而形成AlxGa1-xN层。另外，提供了半导体结构，该半导体结构包含：在衬底上方形成的含有多个重复合金层的叠层，其中所述重复合金层包含两种或更多种合金层类型，其中至少一个合金层类型包含ZrzHfyAl1-z-yB2合金层，其中z和y之和小于或等于1，并且所述叠层的厚度大于约50nm。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 氮化物 集成 应用 硅上锆 铪硼化物 合金 模板 | ||
【主权项】：
在衬底上方形成AlxGa1-xN层的方法，包括：于合适的温度和压力下在Al源存在下使衬底与H2GaN3、D2GaN3或其混合物接触，形成AlxGa1-xN层，其中所述温度小于约800℃。
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