[发明专利]源侧非对称预充电编程方案

摘要

一种用于编程NAND闪速单元的方法，用于在允许随机页面编程操作的同时最小化编程应力。该方法包括从正偏置的源极线非对称预充电NAND串，而将位线从NAND串去耦合，随后，施加编程电压到选择的存储器单元，并且之后应用位线数据。在非对称预充电和施加编程电压之后，所有选择的存储器单元由于它们将从它们相应的NAND串去耦合而被设置为编程禁止状态，并且它们的沟道将被本地提升到有效地禁止编程的电压。VSS偏置的位线将使得本地提升的沟道放电到VSS，从而允许发生选择的存储器单元的编程。VDD偏置的位线将不对预充电的NAND串起作用，从而保持所选择的存储器单元的编程禁止状态。

主权项

1、一种用于编程具有串联在位线和源极线之间的源极线选择装置、存储器单元和串选择装置的NAND闪存串的方法，包括：将所述位线偏置到第一电源电压电平和第二电源电压电平的其中一个；将对应于所述存储器单元的沟道的分组进行非对称地预充电到与所述源极线不同的电压电平，用于将选择的存储器单元沟道设置为与保存在未选择的存储器单元中的后台数据无关的编程禁止状态；仅在所述位线被偏置到所述第二电源电压电平时编程所述选择的存储器单元，在所述位线被偏置到所述第一电源电压电平时所述选择的存储器单元保持在所述编程禁止状态。