[发明专利]光电池及其制造方法

摘要

一种光电池，该光电池包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极和所述第二电极之间并且与所述第一电极和所述第二电极电接触的光电材料。所述光电材料包括：i)具有带隙显著小于太阳辐射峰值能量以响应于太阳辐射的辐照而呈现多激子效应的半导体纳米晶体；和/或ii)第一组半导体纳米晶体和第二组半导体纳米晶体，并且所述第一组纳米晶体具有与所述第二组纳米晶体不同的带隙能量。在从所述第一电极到所述第二电极的方向上的所述光电材料的宽度小于约200纳米，并且在与所述光电材料的宽度大致垂直的方向上的所述光电材料的高度至少为1微米。

主权项

1、一种光电池，包括：第一电极；第二电极；以及包括位于所述第一电极和所述第二电极之间并且与所述第一电极和所述第二电极电接触的半导体纳米晶体的光电材料；其中：所述半导体纳米晶体包括下列至少之一：a)具有带隙显著小于太阳辐射峰值能量的半导体纳米晶体，因而所述光电材料响应于太阳辐射的辐照而呈现多激子效应；或者b)包括第一组半导体纳米晶体和第二组半导体纳米晶体的半导体纳米晶体，其中，所述第一组纳米晶体具有与所述第二组纳米晶体不同的带隙能量；在从所述第一电极到所述第二电极的方向上的所述光电材料的宽度小于约200纳米；以及在与所述光电材料的宽度大致垂直的方向上的所述光电材料的高度至少为1微米。