[发明专利]半导体硅晶片的微波杂化和等离子体快速热处理无效
| 申请号： | 200880004818.3 | 申请日： | 2008-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101669191A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | R·皮拉姆杜;S·库马尔;D·库马尔;黄宗猷;D·A·赛科姆;M·德姆查克;M·K·赫斯特 | 申请（专利权）人： | BTU国际公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 程大军 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 微波能被用作快速热处理半导体硅晶片的辐射源。一方面，由微波调制器材料形成的杂化材料被用来在硅晶片上提供温度均匀性，并且避免由于热应力的发展而导致硅晶片的裂缝或断裂。另一方面，所产生的微波大气压力等离子体被用来直接或间接地加热该硅晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 微波 等离子体 快速 热处理 | ||
【主权项】：
1.一种用于快速热处理基片的杂化微波方法，其包括：将待加热的基片设置在空腔中；提供包括微波调制器材料的杂化材料，该杂化材料根据基片来设置，从而在微波辐射达到至少一部分基片之前调节微波辐射；并且向空腔中引入微波辐射来加热基片，在到达基片前通过杂化材料来调节至少一部分微波辐射，其中杂化材料使得热更均匀地分布到基片上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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