[发明专利]用原子层沉积制备复合材料无效
| 申请号： | 200880004830.4 | 申请日： | 2008-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN101657564A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | E·R·迪基;W·A·巴罗 | 申请（专利权）人： | 莲花应用技术有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C16/00 | 分类号： | C23C16/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 林毅斌;韦欣华 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了构建含包埋在填料基体(104)中的颗粒(102)的复合材料膜的方法，所述方法包括制备堆积的颗粒的聚集体(100)，然后用原子层沉积(ALD)方法在整个颗粒聚集体(100)中沉积基体材料(104)以基本完全填充所述颗粒(102)与所述基体材料(104)间的空间(106，110)。在基体沉积过程中，可周期性地采用气相蚀刻周期来避免所述颗粒聚集体中小孔(214)的堵塞。也公开了通过这样的方法形成的新的复合材料。 | ||
| 搜索关键词： | 原子 沉积 制备 复合材料 | ||
【主权项】：
1.一种制备复合材料膜的方法，所述方法包括：(a)置颗粒团簇于反应空间中，所述团簇限定与所述反应空间流体连通的粒间空间；(b)向所述反应空间中引入第一前体化学品以便所述第一前体化学品渗透所述粒间空间并吸附到与所述粒间空间邻接的颗粒表面；(c)吹扫所述反应空间直至过量的未吸附量的所述第一前体化学品基本从所述反应空间除去；(d)向所述反应空间中引入第二前体化学品，其中所述第二前体化学品渗透所述粒间空间并与所述第一前体化学品反应而在所述颗粒的表面上形成填料材料的沉积物；(e)从所述反应空间除去过量量的所述第二前体化学品；和(f)重复步骤(b)到(e)直至所述颗粒被包埋在所述填料材料中。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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