[发明专利]半导体集成电路器件无效
申请号: | 200880005224.4 | 申请日: | 2008-02-14 |
公开(公告)号: | CN101617398A | 公开(公告)日: | 2009-12-30 |
发明(设计)人: | 池永佳史;野村昌弘 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H01L21/822 | 分类号: | H01L21/822;H01L27/04 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙志湧;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 控制电路(40)控制电源电压馈送电路(50),并且控制被馈送到目标电路(60)的电源电压。基准速度监控器(20)监控目标电路中的关键路径的延迟时间是否满足所要求的操作速度。电压差监控器(30)监控目标电路的电源电压和目标电路的阈值电压之间的差,以输出电压差信息。控制电路基于由基准速度监控器监控的结果确定增加还是减少电源电压。控制电路确定电源电压的变化速率使得电源电压的控制速率与从电压差监控器输出的电压差信息成比例。 | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体集成电路器件,包括:目标电路(60),对于所述目标电路(60)至少电源电压是可变的;电压馈送电路(50),所述电压馈送电路(50)将电源电压馈送到所述目标电路;控制电路(40),所述控制电路(40)控制由所述电压馈送电路馈送的电源电压,其中所述控制电路以与所述目标电路中的操作速度相对应的变化速率增加或者减少所述电压馈送电路馈送到所述目标电路的电源电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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