[发明专利]渗碳装置和渗碳方法无效

专利信息
申请号: 200880005440.9 申请日: 2008-02-14
公开(公告)号: CN101617063A 公开(公告)日: 2009-12-30
发明(设计)人: 中井宏;中林贵 申请(专利权)人: 株式会社IHI
主分类号: C23C8/20 分类号: C23C8/20;C21D1/06;C21D1/74;C21D1/773;G01N21/73
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 蔡晓菡;李平英
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 对物体进行真空渗碳处理的渗碳装置,其具备:装纳上述物体的渗碳炉、向上述渗碳炉供给渗碳气体的气体供给装置、使用供给了上述渗碳气体的上述渗碳炉内部的炉内气体进行发光的发光装置、接受来自上述发光装置的光的受光装置、和根据上述受光装置的受光结果而求得上述炉内气体的组成的处理装置。
搜索关键词: 渗碳 装置 方法
【主权项】:
1.渗碳装置,其是对物体进行真空渗碳处理的渗碳装置,其中具备:装纳上述物体的渗碳炉、向上述渗碳炉供给渗碳气体的气体供给装置、使用供给了上述渗碳气体的上述渗碳炉内部的炉内气体进行发光的发光装置、接受来自上述发光装置的光的受光装置、和根据上述受光装置的受光结果而求得上述炉内气体的组成的处理装置。
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