[发明专利]通过使用氮化铝增加微结构中的铜基金属化结构的可靠性有效
| 申请号： | 200880005905.0 | 申请日： | 2008-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN101681873A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | C·施特雷克;V·克勒特 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/314 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程 伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过以自限制程顺序来形成氮化铝层(106)，可显著增强铜基金属化层的界面特性同时仍然保持层堆栈(layer stack)的总介电系数(permittivity)于较低位准。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 使用 氮化 增加 微结构 中的 基金 结构 可靠性 | ||
【主权项】：
1、一种方法，包括：在形成于介电层的金属区的暴露表面上形成含氮层；以及暴露该含氮层于基于含铝气体所建立的环境，以在该金属区上形成含铝及氮的第一阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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