[发明专利]温度相关性降低的蓝色LD泵浦的掺杂镨的固态激光装置无效
| 申请号： | 200880006448.7 | 申请日： | 2008-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN103444019A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | U·韦克曼;J·本戈奇阿佩兹特古亚;P·J·-P·卡米;J·-L·道兰;R·蒙科格 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司;卡昂大学;法国国家科学研究中心 |
| 主分类号： | H01S3/0941 | 分类号： | H01S3/0941;H01S3/16;H01S3/23;H01S3/063 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 龚海军;刘红 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种固态激光装置，该固态激光装置带有在两个谐振腔端镜(3，5)之间的固态增益介质以及布置成对所述固态增益介质进行光学泵浦的基于GaN的泵浦激光器(1)。固态增益介质是掺杂Pr3+的晶体或多晶基质材料(4)，该基质材料具有立方晶体结构和≤600cm-1的最高声子能量并且提供≥5.5eV的带隙。所提出的固态激光器能够被设计成在若干可见波长发射且所发射的功率表现出对基于GaN的泵浦激光器(1)的温度的相关性降低。 | ||
| 搜索关键词： | 温度 相关性 降低 蓝色 ld 掺杂 固态 激光 装置 | ||
【主权项】：
固态激光装置，包括在激光腔的两个谐振腔端镜(3，5)之间布置的固态增益介质以及布置成对所述固态增益介质进行光学泵浦的基于GaN的固态泵浦激光器(1)，所述固态增益介质由掺杂Pr3+的基质材料(4)形成，其中所述固态增益介质的基质材料是具有立方晶体结构的晶体或多晶材料并且被选择成具有≤600cm‑1的最高声子能量和≥5.5eV的带隙。
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