[发明专利]集成电路熔丝阵列无效
| 申请号： | 200880006752.1 | 申请日： | 2008-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN101622787A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | A·B·霍夫勒 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H03K19/177 | 分类号： | H03K19/177 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 金 晓 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在本申请中描述的熔丝阵列(40)由于其为交叉点体系结构因此非常紧凑，并且使用很少的半导体面积。所公开的交叉点体系结构减少了必须水平地或垂直地穿过每个位单元(例如，50和60)的导体的数目。结果，显著减少了每个位单元所需的面积。在一个实施例中，在各个字线(70、72、74)和位线(80、82、84)上的所选的一组电压用来对熔丝(60-68)编程以产生具有阻抗的更紧密分布的被编程的熔丝。类似地，在各个字线(70、72、74)和位线(80、82、84)上的所选的一组电压用来读取熔丝(60-68)。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种用于对第一熔丝编程的方法，该方法包含如下步骤：提供以阵列方式布置的多个熔丝，该阵列包含多个熔丝字线和位线，其中该多个熔丝包含第一熔丝；将第一电压提供到所选的字线；将第二电压提供到未选的字线，其中第二电压的幅度大于第一电压的幅度；以及将第三电压提供到所选的位线，其中第三电压的幅度大于第二电压的幅度；以及其中响应于提供第一、第二和第三电压的步骤而对第一熔丝编程。
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