[发明专利]半导体级硅的等离子体喷涂无效
| 申请号： | 200880006823.8 | 申请日： | 2008-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101681814A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 拉阿南·Y·柴海威;詹姆斯·E·博伊尔 | 申请（专利权）人： | 综合光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;王金宝 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种设计用来喷涂半导体级硅以形成包括p-n结的半导体结构的等离子体喷涂枪(10)，其包括多个诸如阴极(16)或阳极(20)之类的部件或其它面向等离子体或携有硅粉末的具有至少多个由高纯度硅形成的表面部件。该些半导体杂质可包括在该喷涂硅中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 等离子体 喷涂 | ||
【主权项】：
1.一种用来激发一电弧气体流内的一等离子体的等离子体枪，其中该枪面向该等离子体或一粉末流的多个部件中至少一部件的一表面部分实质上是由硅构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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