[发明专利]具有可变功率的边缘电极

摘要

这些实施例提供了去除该基片斜缘上和附近以及室内部的蚀刻副产物、电介质薄膜和金属薄膜的结构和机制，以避免聚合物副产物和沉积的薄膜的聚集以及提高工艺成品率。在一个示范性的实施例中，提供一种等离子处理室，其配置为清洁基片的斜缘。该等离子处理室包括底部电极，其配置为接收该基片，其中该底部电极耦接至射频(RF)电源。该等离子处理室还包括围绕对着该底部电极的绝缘板的顶部边缘电极。该顶部边缘电极电气接地。该等离子处理室进一步包括围绕该底部电极的底部边缘电极。该底部边缘电极对着该顶部边缘电极。该顶部边缘电极、设在该底部电极上的该基片和该底部边缘电极配置为生成清洁等离子以清洁该基片的斜缘。该底部边缘电极和该底部电极通过RF电路彼此电气耦接，该RF电路可调节以调节通过设在该底部电极上的该基片、该底部边缘电极和该顶部边缘电极之间的RF电流的量。

主权项

1.一种等离子处理室，其配置为清洁基片的斜缘，该室包括：底部电极，其配置为接收该基片，其中该底部电极耦接至射频(RF)电源；顶部边缘电极，其围绕对着该底部电极的绝缘板，该顶部边缘电极电气接地；和底部边缘电极，其围绕该底部电极，该底部边缘电极对着该顶部边缘电极，其中该顶部边缘电极、设在该底部电极上的该基片和该底部边缘电极配置为生成清洁等离子以清洁该基片的斜缘，其中该底部边缘电极和该底部电极通过RF电路彼此电气耦接，该RF电路可调节以调节通过设在该底部电极上的该基片、该底部边缘电极和该顶部边缘电极之间的RF电流的量。