[发明专利]结晶组合物、晶片和半导体结构无效
| 申请号： | 200880007681.7 | 申请日： | 2008-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101631902A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 马克·P·德维林;朴东实;史蒂文·F·勒波伊夫;拉里·B·劳兰德;克里斯蒂·J·纳兰;洪慧聪;斯蒂芬·D·阿瑟;彼得·M·桑德维克 | 申请（专利权）人： | 莫门蒂夫性能材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B9/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 王国祥 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种结晶组合物。所述结晶组合物可以包含镓和氮；并且所述结晶组合物可以具有在约3175cm-1处的红外吸收峰，且具有大于约0.01cm-1的单位厚度吸收率。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 组合 晶片 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1.一种结晶组合物，其包含镓和氮；并且所述结晶组合物具有在约3175cm-1处的红外吸收峰，且具有大于约0.01cm-1的单位厚度吸收率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于莫门蒂夫性能材料股份有限公司，未经莫门蒂夫性能材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880007681.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
