[发明专利]有机场效应晶体管无效

专利信息
申请号: 200880007765.0 申请日: 2008-01-23
公开(公告)号: CN101652875A 公开(公告)日: 2010-02-17
发明(设计)人: 罗纳德·厄斯特巴卡;卡尔-埃里克·维伦;托马斯·贝克隆德;尼克莱·凯霍维尔塔 申请(专利权)人: 罗纳德·厄斯特巴卡;卡尔-埃里克·维伦
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;H01L51/10;H01L51/00;H01B1/12
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 李 帆
地址: 芬兰*** 国省代码: 芬兰;FI
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摘要: 发明涉及有机场效应晶体管。本发明的有机场效应晶体管在有机半导体层(203)与栅极(204)之间包含聚合物膜(205),该聚合物膜在沟道区与栅极之间具有离子传导空间区域(206)。由于该离子传导空间区域(206),栅极与有机半导体层之间的距离可以比现有技术有机场效应晶体管中的更长。
搜索关键词: 有机 场效应 晶体管
【主权项】:
1.有机场效应晶体管,其包含:-源极(201)和漏极(202),-有机半导体层(203),布置该层以在源极和漏极之间形成沟道区,和-栅极(204),其特征在于所述有机场效应晶体管在有机半导体层和栅极之间包含聚合物膜(205),该聚合物膜在沟道区与栅极之间呈现离子传导性。
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