[发明专利]具有夹层结构的厚氮化物半导体结构和制作厚氮化物半导体结构的方法有效
| 申请号： | 200880007785.8 | 申请日： | 2008-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN101632152A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | A·W·萨克斯勒;A·A·小伯克 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;王忠忠 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体结构，包括衬底、衬底上的成核层、成核层上的组分渐变层以及组分渐变层上的氮化物半导体材料层。所述氮化物半导体材料层包括在所述氮化物半导体材料层内被隔开的多个基本弛豫的氮化物夹层。所述基本弛豫的氮化物夹层包括铝和镓并且利用n型掺杂剂进行导电掺杂，并且包括所述多个氮化物夹层的氮化物半导体材料层具有至少大约2.0μm的总厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 夹层 结构 氮化物 半导体 制作 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：衬底；在所述衬底上的成核层；在所述成核层上的组分渐变层；和在所述组分渐变层上的氮化物半导体材料层；以及在所述氮化物半导体材料层内被隔开的多个基本弛豫的氮化物夹层，其中所述基本弛豫的氮化物夹层包括铝和镓并且利用n型掺杂剂进行导电掺杂；其中包括所述多个氮化物夹层的所述氮化物半导体材料层具有至少大约2.0μm的总厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
